《GaN晶体管制造工艺配方精选汇编》

法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在(100)-硅(晶体取向为100)基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管(HEMTs)。此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，其广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(CMOS)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(110)-硅制成的CMOS芯片兼容，科学家可据此研制出兼具CMOS芯片的计算能力和氮化镓晶体管大功率容量的混合电子元件，以获得更小更快、能耗更低的电子设备。

    本篇是为了配合国家产业政策向广大企业、科研院校提供DaN晶体管制造工艺汇编技术资料。资料中每个项目包含了最详细的技术制造资料,现有技术问题及解决方案、产品生产工艺、配方、产品性能测试，对比分析。资料信息量大,实用性强,是从事新产品开发、参与市场竞争的必备工具。       

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