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《光电(光敏二极管)制造工艺技术精选》



           光电二极管,作为能够将光信号转换为电信号的电子元器件,在多个领域展现出了其独特的价值。首先,在光电转换领域,光电二极管能将光信号转化为电信号,广泛应用于数字相机、扫描仪及激光打印机等电子产品中。其次,在光电控制方面,光电二极管常被用作光电控制开关,如光电传感器和自动光控灯,通过光照产生电流影响电路工作。此外,光通信也是光电二极管的重要应用领域,它能解码光信号实现高速数据传输。同时,光电二极管在光谱分析领域也发挥着重要作用,能测量微小光强变化,用于检测多种物质。最后,医疗设备、安全检查等领域也常见光电二极管的身影,如在医疗设备上测量心率、血氧饱和度,以及在安全检查中检测防盗门的开关状态。综上所述,光电二极管在多个领域都有着广泛的应用,是不可或缺的电子元器件

        

          本篇是为了配合国家产业政策向广大企业、科研院校提供光电二极管制造工艺汇编技术资料。资料中每个项目包含了最详细的技术制造资料,现有技术问题及解决方案、产品生产工艺、配方、产品性能测试,对比分析。资料信息量大,实用性强,是从事新产品开发、参与市场竞争的必备工具。

         本篇系列汇编资料分为为精装合订本和光盘版,内容相同,用户可根据自己需求购买。



《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
【电  子 版】1480元(PDF文档 邮件传送)

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GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
【电  子 版】1480元(PDF文档 邮件传送)

目录

1一种GaN基晶体管及其制作方法和应用厦门市三安集成电路有限公司
2一种GaN晶体管结构及其制备方法安徽大学
3GaN晶体管与栅极驱动器的合封结构及合封方法上海烨映微电子科技股份有限公司
4具有倾斜栅极场板的GaN半导体功率晶体管和制造方法英飞凌科技加拿大公司
5基于薄膜晶体管技术的单片集成GaN共源共栅结构西安电子科技大学
6具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管北京大学
7一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法湖北九峰山实验室
8一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管东南大学
9基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
10p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法东南大学;无锡华润上华科技有限公司
11具有阶梯式金属场板的GaN半导体功率晶体管及制造方法英飞凌科技加拿大公司
12常关型极化超结GaN基场效应晶体管和电气设备株式会社POWDEC
13GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
14GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
15一种铁电极化耦合的GaN场效应晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
16一种凹槽型肖特基源p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
17一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
18一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
19具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法重庆邮电大学
20一种N面GaN/ScAlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
21一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管西安交通大学
22具有主GaN功率晶体管和GaN电流感测晶体管的GaN管芯英飞凌科技奥地利有限公司
23一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法西安电子科技大学
24具有增强型折叠形状的AlGaN/GaN MIS高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
25具有高阈值电压的高压纵向GaN高沟道电子迁移率晶体管电子科技大学
26一种GaN高电子迁移率晶体管结构及制作方法天津市滨海新区微电子研究院
27一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法北京大学
28一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管长沙理工大学
29一种具有P型GaN栅增强型GaN晶体管结构及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
30一种高压横向GaN高电子迁移率晶体管江苏希尔半导体有限公司;乐山希尔电子股份有限公司;乐山嘉洋科技发展有限公司
31具有渐变背势垒缓冲层InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法中国科学院半导体研究所
32一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
33基于Fin结构的GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
34一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
35一种具有埋层结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
36一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法中国科学院宁波材料技术与工程研究所
37一种基于P型氮化物隔离的P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
38一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
39p-GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法无锡先瞳半导体科技有限公司
40一种高线性度GaN晶体管及制备方法厦门市三安集成电路有限公司
41具有垂直AlGaN/GaN结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法江苏芯港半导体有限公司
42一种具有n-GaN二次外延层的GaN基高电子晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
43降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管及其制备方法南京大学
44一种抗单粒子加固的P-GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法中国空间技术研究院
45一种具有GaN基多沟道凹槽MIS结合PN结栅的垂直晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
46一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
47一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
48提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管中国科学院半导体研究所
49GaN衬底晶体管器件及其制备方法浙江芯科半导体有限公司
50具有高功率优值与优异导通特性的GaN场效应晶体管江苏芯唐微电子有限公司
51一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
52GaN基增强型功率晶体管中国科学院微电子研究所
53一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
54结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
55GaN基增强型功率晶体管的制备方法捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所
56基于离子注入的抗单粒子p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
57基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
58基于原位生长MIS结构的P-GaN高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
59GaN场效应晶体管中国科学院半导体研究所
60一种倾斜式GaN HEMT集成散热晶体管及其制备方法深圳大学
61基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
62GaN基高电子迁移率晶体管、欧姆金属电极及其制备方法中国科学院微电子研究所