金刚石线锯、绳锯及串珠配方技术工艺精选汇编
                《2022国内外金刚石锯切工具制造、生产、加工技术》

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 New Technology Of  Diamond Tools
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大力发展 高品质、高性能金刚石工具


各位读者:大家好!


       自从我公司2000年推出每年一期的金刚石制品系列新技术汇编以来,深受广大企业的欢迎,在此,我们衷心地感谢致力于创新的新老客户多年来对我们产品质量和服务的认同,由衷地祝愿大家工作顺利!

   

          金刚石工具是指用金刚石的颗粒或粉末作为主要元素的一类工具产品。这类工具类型包括:切、磨、钻、铣、抛光。金刚石研磨膏、滚压锯片、冷镶金刚石拉丝模、冷镶金刚石刀具、钎焊金刚石复合片刀具等,也都属于金刚石工具。金刚石具有坚硬性,故制成的工具特别适合加工硬脆材料尤其非金属材料,如石材、墙地砖、玻璃、陶瓷、混凝土、耐火材料、磁性材料、半导体、宝石等;也可以用于加工有色金属、合金、木材,如铜、铝、硬质合金、淬火钢、铸铁、复合耐磨木板等。目前金刚石工具已广泛应用以建筑、建材、石油、地质、冶金、机械、电子、陶瓷、木材、汽车等工业。


    随着我国经济的不断发展,金刚石工具不仅被广泛用于民用建筑与土木工程、石材金刚石工具金刚石工具(10张)加工业、汽车工业、交通工业、地勘与国防工业等领域和其它现代高新技术领域,而且在宝石、医疗器械、木材、玻璃钢、石材工艺品、陶瓷和复合非金属硬脆材料等众多新领域不断出现,社会对金刚石工具的需求量正在逐年大幅增加。


    本期所介绍的资料,系统全面地收集了到2019年金刚石工具制造最新技术配方,包括:优秀的专利新产品,新配方、新产品生产工艺的全文资料。其中有许多优秀的新技术在实际应用巨大的经济效益和社会效益,这些优秀的新产品的生产工艺、技术配方非常值得我们去学习和借鉴。

《金刚石线锯、绳锯及串珠工艺配方精选汇编》

     
       为了更好的为读者呈现国际、国内新型金刚石制品技术详细内容,满足企业读者不同需求,共同探讨国内外金刚石等超硬材料的技术动态,恒志信科技公司独家推出《金刚石新技术》资料版块,深度了解现今金刚石制品的发展方向,以及新工艺和产品用途,呈现我国金刚石未来研制的技术环境及产品走向,欢迎关注!【国际新技术网】 

       本篇是为了配合国家产业政策向广大企业、科研院校提供的我国及国外最新金刚石锯切工具制备技术工艺配方专利汇编技术资料。资料中每个项目包含了最详细的技术制造资料,现有技术问题及解决方案、产品生产工艺、配方、产品性能测试,对比分析。资料信息量大,实用性强,是从事新产品开发、参与市场竞争的必备工具。

       本期所介绍的资料,系统全面地收集了金刚石线锯,绳锯及串珠工具制造技术配方,包括:优秀的专利新产品,新配方、新产品生产工艺的全文资料。其中有许多优秀的新技术在实际应用巨大的经济效益和社会效益,资料适合创业人员、企业工程师、技术人员、科研院所,需要引进技术合作的单位、新产品研发爱好者、已经申请专利需要关注行业新动态的发明人、准备申请专利进行技术查重的发明人等。 通过对技术信息的研究分析,可及时了解和掌握产品的技术核心,实现集成创新和模仿创新,引进吸收再利用,选择一条技术捷径和制定产品研发方向。

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2025版《国际光刻胶制造工艺配方精选汇编》

2025版《国际光刻胶制造工艺配方精选汇编》

极紫外光刻胶(EUV光刻胶)技术:EUV光刻胶是目前最先进的光刻胶技术之一,主要用于极紫外光刻工艺,能够实现极小的线宽和高分辨率的图形转移,是制造高端芯片的关键材料例如,JSR公司在2011年就与SEMATECH联合开发出用于15nm工艺的化学放大型EUV光刻胶东京应化(TOK)也在EUV光刻胶领域处于领先地位,其在2020年拥有EUV光刻胶51.8%的市占率。

高灵敏度和高分辨率光刻胶技术:通过优化光刻胶的化学配方和结构,提高光刻胶对光的灵敏度和分辨率,从而实现更小的图形尺寸和更高的集成度如Inpria生产的包含氧化锡的EUV光刻胶,具有良好的灵敏度,将EUV的吸收效率提升了4倍,并且可以实现更简单的制造流程和更大的工艺窗口。

多层膜光刻技术:为了进一步提高光刻分辨率,采用多层膜光刻技术,通过在光刻胶层之间增加特殊的膜层,减少光的反射和散射,提高光刻的对比度和分辨率。

  本资料是收录涉及《国际光刻胶制造工艺配方精选汇编》最新专利技术资料,资料中包括制造原料、配方、生产工艺、产品性能测试及标准、实际应用效果,技术指标,解决的具体问题等等,是企业提高产品质量和发展新产品的重要、实用、超值和难得的技术资料。


【资料内容】制造工艺及配方
【资料语种英文
【项目数量】56项
电子版】1680元(PDF文档  邮件发送)


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极紫外光刻胶(EUV光刻胶)技术:EUV光刻胶是目前最先进的光刻胶技术之一,主要用于极紫外光刻工艺,能够实现极小的线宽和高分辨率的图形转移,是制造高端芯片的关键材料例如,JSR公司在2011年就与SEMATECH联合开发出用于15nm工艺的化学放大型EUV光刻胶东京应化(TOK)也在EUV光刻胶领域处于领先地位,其在2020年拥有EUV光刻胶51.8%的市占率。

高灵敏度和高分辨率光刻胶技术:通过优化光刻胶的化学配方和结构,提高光刻胶对光的灵敏度和分辨率,从而实现更小的图形尺寸和更高的集成度如Inpria生产的包含氧化锡的EUV光刻胶,具有良好的灵敏度,将EUV的吸收效率提升了4倍,并且可以实现更简单的制造流程和更大的工艺窗口。

多层膜光刻技术:为了进一步提高光刻分辨率,采用多层膜光刻技术,通过在光刻胶层之间增加特殊的膜层,减少光的反射和散射,提高光刻的对比度和分辨率。

  本资料是收录涉及《国际光刻胶制造工艺配方精选汇编》最新专利技术资料,资料中包括制造原料、配方、生产工艺、产品性能测试及标准、实际应用效果,技术指标,解决的具体问题等等,是企业提高产品质量和发展新产品的重要、实用、超值和难得的技术资料。


【资料内容】制造工艺及配方
【资料语种英文
【项目数量】56项
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目录

序号项目名称研制单位
1Enhanced Euv Materials, Photoresists And Methods Of Their UseROBINSON ALEX P G [GB]
JACKSON ED [US]
O'CALLAGHAN GREGORY [GB]
ROTH JOHN [US]
MCCLELLAND ALEXANDRA [GB]
LADA TOM [US]
POPESCU CARMEN [GB]
2Euv Lithography Using Polymer Crystal-Based ReticlesREKHI SANDEEP
WALLING THOMAS JOHN FARRELL
PICHUMANI PRADEEP SAILAM
3Photoresist Composition For Euv, Method For Manufacturing Same, And Method For Forming Photoresist Pattern Using SameHONG SUKWON [KR]
HWANG CHAN CUK [KR]
KIM DO WON [KR]
BYEON JIN HWAN [KR]
AHN JAE BOONG [KR]
4Pellicle For Euv Lithography And Method For Manufacturing Pillicle Film Of The SamePARK CHUL KYUN
HONG JU HEE
CHOI MUN SU
KIM DONG HOI
5Pellicle For Euv LithographyHONG JU-HEE [KR]
PARK CHUL-KYUN [KR]
CHOI MUN-SU [KR]
KIM DONG-HOI [KR]
6Method To Reduce Line Edge Roughness For Euv Photoresist PatternWANG XIN-KE [CN]
SHEN ZE-QING [CN]
SINGHA ROY SUSMIT [IN]
MALLICK ABHIJIT BASU [US]
BHUYAN BHASKAR JYOTI [IN]
TANG JIECONG [SG]
SUDIJONO JOHN [US]
SALY MARK [US]
7Enhanced Euv Photoresists And Methods Of Their UseROBINSON ALEX P G [GB]
JACKSON EDWARD [US]
ROTH JOHN [US]
LADA TOM [US]
O'CALLAGHAN GREG [GB]
8Organometallic Tin Clusters As Euv PhotoresistLU FENG [US]
9Euv Low Roughness Euv LithographyWISE RICHARD
SHAMMA NADER
10Enhanced Euv Photoresist And Methods Of Use ThereofROBINSON ALEX P G
JACKSON EDWARD
ROTH JOHN
LADA TOM
O 'CALLAGHAN GREG
11Pellicle For Euv LithographyHONG JU HEE
JUNG MIN WOOK
CHOI MUN SU
12Method Of Euv LithographyCHEN TAI-YU [TW]
KHIVSARA SAGAR DEEPAK [IN]
CHIEN SHANG-CHIEH [TW]
LAM KAI TAK [SG]
YU SHENG-KANG [TW]
13Euv Composition For Semiconductor Euv Lithography And Method For Semiconductor Euv Lithography Using The SameLEE GEUN SU [KR]
LEE YEONG SEON
SEONG YEON HEE
KIM SEOK HYUN
KIM YOUNG CHAN
CHEON JONG HYEON
LEE SEUNG HYUK
14Pellicle For Euv Lithography Masks And Methods Of Manufacturing ThereofHSU PEI-CHENG [TW]
SUN TING-PI [TW]
LEE HSIN-CHANG [TW]
15Euv Metal Photoresist As Well As Preparation Method And Application ThereofWANG SU
FANG SHUNONG
16Euv Photoresist As Well As Preparation Method And Application ThereofWANG SU
FANG SHUNONG
17Euv/Eb Photoresist As Well As Preparation Method And Application ThereofFANG SHUNONG
WANG SU
TANG CHEN
18Euv Photomask And Manufacturing Method Of The SameHSU FENG YUAN [TW]
SHEN TRAN-HUI [TW]
HSU CHING-HSIANG [TW]
19Euv Euv Dose Reducing Layers Related Structures And Methods And Systems For Their ManufactureFATEMEH DAVODI
PAUL CHATELAIN
CHARLES DEZELAH
20Method Of Forming Carbon-Based Spacers For Euv Photoresist PatternsWANG XINKE
SHEN ZEQING
ROY SUMEET SINGH
MALLIK ABHIJIT BASU
BHUYAN BHASKAR JYOTI
TANG JIECONG
SUDIJONO JOHN
SALY MARK
21Zirconium-Coated Ultra-Thin, Ultra-Low Density Films For Euv LithographyLIMA MARCIO D [US]
GRAHAM MARY VIOLA [US]
UEDA TAKAHIRO [US]
22Euv Membrane For Euv Lithography And Manufacturing Method For The SameYU LAN
SEO KYOUNG WON
PARK JIN SU
YANG SEONG JU
HONG SEONG GYU
LEE HWA CHOL
KIM CHEONG
KIM KYOUNG SOO
YUN WOO HYUN
CHO SANG JIN
LEE DONG HOON
LEE SO YOON
PARK SEONG HWAN
KIM YONG SU
KANG HONG GU
CHOI JAE HYUCK
23Euv Euv An Euv Pellicle Frame And An Euv Pellicle Using ItHORIKOSHI JUN [JP]
24Pellicle For Euv LithographyHONG JU HEE
PARK CHUL KYUN
CHOI MUN SU
KIM DONG HOI
25Euv The Manufacturing Method Of Pellicle For Euv Photomask Using Reinforeced Graphene MembraneKIM YONG KI [KR]
26Euv The Manufacturing Method Of Pellicle For Protecting Euv Photomask Using Reinforeced PadKIM YONG KI [KR]
27Euv The Manufacturing Method Of Pellicle For Euv Photomask Using Reinforeced Graphene MembraneKIM YONG KI [KR]
28Implant Into Euv Metal Oxide Photoresist Module To Reduce Euv DosePRASAD RAJESH [US]
LIN YUNG-CHEN [US]
HUANG ZHIYU [US]
WANG FENGLIN [US]
LANG CHI-I [US]
HWANG HOYUNG DAVID [US]
AREVALO EDWIN A [US]
SHIM KYUHA [US]
29Method Of Manufacturing Euv Photo MasksLEE HSIN-CHANG [TW]
HSU PEI-CHENG [TW]
LIEN TA-CHENG [TW]
WANG TZU YI [TW]
30Blankmask And Photomask For Euv Lithography With Backside Conductive LayerWOO MI KYUNG
PARK MIN KYU
YANG CHUL KYU
31Euv Euvextreme Ultraviolet Mask And Method For Manufacturing The SameJANG SUNG WOO
LEE SUN PYO
JUNG EUI HAN
32Euv The Manufacturing Method Of Graphene Membrane Pellicle For Extreme Ultra Violet LithographyKIM YONG KI [KR]
33Enhanced Euv Photoresist Including A Core Tris(4-Hydroxyphenyl)Methane Group And Having Improved Sensitivity (Photosensitivity), Resolution (Line Width Roughness), Or BothROBINSON ALEX P G [GB]
MCCLELLAND ALEXANDRA [GB]
O '' CALLAGHAN GREG [GB]
JACKSON ED [US]
NGUYEN VAN HUY [GB]
MELONI FERNANDA [IT]
34Phase Shift Blank Mask And Photomask For Euv LithographyKIM YONG-DAE
LEE JONG-HWA
YANG CHUL KYU
35Methods For Making Euv Patternable Hard MasksWU CHENGHAO
TIMOTHY WILLIAM WEIDMAN
KATIE NARDI
36Pellicle For An Euv Lithography Mask And A Method Of Manufacturing ThereofCHAO TZU-ANG [TW]
CHENG CHAO-CHING [TW]
WANG HAN [TW]
37Pellicle For Euv LithographyHONG JU HEE
PARK CHUL KYUN
CHOI MUN SU
KIM DONG HOI
38Reflective Mask Blank For Euv Lithography, Mask Blank For Euv Lithography, And Manufacturing Methods ThereofAKAGI DAIJIRO [JP]
KAWAHARA HIROTOMO [JP]
UNO TOSHIYUKI [JP]
ISHIKAWA ICHIRO [JP]
SAKAKI KENICHI [JP]
39Thin Film For Euv Lithography Mask And Method Of Manufacturing SameXU BEICHENG
LI WEIHAO
LI HUANLING
LI XINCHANG
LIN JINXIANG
40Euv Light Generation System And Production Method Of Electronic DeviceNISHIMURA YUICHI
UENO YOSHIFUMI
41Thin Film For Euv Lithography Mask And Method Of Manufacturing SameSON JUNG-PIL
XU BEICHENG
LI XINCHANG
42Euv Euv Euv Euv-Level Substrate Euv Mask Base Euv Mask And Method Of Manufacturing SameJI MINGHUA
DONG YUHU
HUANG ZAOHONG
43Euv Photomask And Manufacturing Method ThereofXUE WENZHANG
LIAN DACHENG
LI XINCHANG
44Pellicle For Euv Lithography With Cnt Film And Method For Forming Film Of The SameCHOI MUN SU
HONG JU HEE
PARK CHUL KYUN
KIM DONG HOI
45Detection Method Of Euv Pellicle StatusLIU YEN-HAO [TW]
WANG SHAO-HUA [TW]
ZHANG ZHENG-HAO [TW]
LIN FAN-CHI [TW]
KUO CHUEH-CHI [TW]
CHEN LI-JUI [TW]
LIU HENG-HSIN [TW]
46Euv The Forming Method Of Graphene For Pellicle Membrane Of Extreme Ultra Violet LithographyKIM YONG KI [KR]
47Euv The Forming Method Of Graphene Membrane To Have Capping Layer For Pellicle Of Extreme Ultra Violet LithographyKIM YONG KI [KR]
48Euv Euv Reflection-Type Mask Blank For Euv Lithography Reflection-Type Mask For Euv Lithography And Manufacturing Methods ThereforAKAGI DAIJIRO [JP]
KAWAHARA HIROTOMO [JP]
SASAKI KENICHI [JP]
ISHIKAWA ICHIRO [JP]
UNO TOSHIYUKI [JP]
49Extreme Ultraviolet Lithography Method And Euv PhotomaskLEE CHIEN-MIN [TW]
CHEN YEN-LIANG [TW]
LIN SHY-JAY [TW]
CHEN LEE-FENG [TW]
TAI KUO LUN [TW]
50Phase Shift Blankmask And Photomask For Euv LithographyPARK MIN-KWANG [KR]
PARK MIN-KYU [KR]
WOO MI-KYUNG [KR]
YANG CHUL-KYU [KR]
KIM YONG-DAE [KR]
51Blankmask For Euv Lithography With Absorbing Film, And Photomask Fabricated With The SamePARK MIN-KYU [KR]
WOO MI-KYUNG [KR]
PARK MIN-KWANG [KR]
YANG CHUL-KYU [KR]
52Membrane For Euv LithographyHOUWELING ZOMER SILVESTER [NL]
GHIASI KABIRI MAHNAZ [NL]
GIESBERS ADRIANUS JOHANNES MARIA [NL]
BERGERS LAMBERTUS IDRIS JOHANNES CATHARINA [NL]
53Preferential Infiltration In Lithographic Process Flow For Euv Car ResistALVA GABRIELA [US]
HAN ZHEN-XING [CN]
SACHAN MADHUR [IN]
LANG CHI-I [US]
ZHOU LIN [CN]
LIU LEQUN [US]
KAZEM NASRIN [US]
54Enhanced Ultra-Thin, Ultra-Low Density Films For Euv Lithography And Method Of Producing ThereofLIMA MARCIO D [US]
UEDA TAKAHIRO [US]
55Pellicle For An Euv Lithography Mask And A Method Of Manufacturing ThereofLIN YUN-YUE [TW]
56Methods And Related Systems For Depositing Euv Sensitive FilmsPATEL KISHAN ASHOKBHAI [IN]
TOMCZAK YOANN [FR]
DEZELAH CHARLES [US]
ZYULKOV IVAN [RU]
DE ROEST DAVID KURT [BE]
GIVENS MICHAEL [US]
PIUMI DANIELE [IT]


优秀技术展示

【日本优秀技术】0.02mm~3 .0mm电镀金刚石切割线的制造方法, 金刚石线镀镍液配方


【解决现有技术问题】一种更加可靠地限制固体金刚石微粒的聚集并使固体微粒进行高分散性附着的技术。更加均匀地形成固体金刚石微粒分散的电镀媒层。


【有益效果】日本优秀新技术金刚石线锯镀镍液配方,新配方可大幅度降低金刚石线制造的成本,能够飞跃性地提升将固体微粒附着金属线作为金属线锯使用时的切割性能。


  新技术广泛用于切割太阳能电池用硅晶片、半导体用硅晶片、用于LED的蓝宝石、陶瓷以及石材这些硬质且脆性较高的难加工材料。解决了近年来,要求进一步提高具有这种固体微粒附着金属线的高脆性材料切割用工具(金属线锯)的性能及其寿命的难题。


【资料内容】包括:镀镍液配方、配方带有无机涂层的固体微粒、聚乙烯亚胺、表面改性剂包含醇胺类和非离子系的表面活性剂、固体金刚石微粒附着金属线的制造方法等等。


【国内优秀技术】表面有网状裂纹的镍磷合金层的金刚石颗粒制造电镀金刚石切割线的方法


【解决现有技术问题】避免了金刚石颗粒在金属线上的团聚现象,提高了金刚石颗粒分布的均匀性,提高了电镀金刚石
切割线的质量。


【资料内容】电镀金刚石线金属线直径0.10mm,金刚石颗粒粒径8-12μm的电镀金刚石切割线的制造方法;

包括步骤:

1、采用化学镀镍的方法在金刚石颗粒表面形成镍磷合金层方法;

2、通过热处理使金刚石颗粒表面镍磷合金层产生网状裂纹方法;

3、金刚石颗粒加入上砂装置 的电镀液中并搅拌混合悬浮状态;

4、电镀金刚石切割线的电镀制造方法,预镀、上砂、加厚等。


新技术是一种能够有效降低金刚石颗粒的团聚和分布不均的金刚石切割线的制造方法

微生物菌肥优秀技术展示


     自组装金刚石线锯切割材料配方工艺及其制备技术

                              金刚石颗粒出刃高度均匀,出刃率高,金刚石线线径小且均匀

 


   【技术背景】

             目前,用于硬脆材料切割加工的方法主要有游离磨粒线锯切割、固结磨粒线锯切割、外因切割和内因切割等。游离磨粒线锯切割过程为边切割

     边向钢丝输送带有磨粒的浆料,因此该切割技术具有非常明显的缺点:切割效率低,锯口损耗大,表面粗糙度和精度难以控制,浆料回收困难,环境

     污染严重等,而使用固结磨粒线锯切割则能很好的解决这些问题。

 

             金刚石线锯是最有前景的硬脆材料切割技术的重要手段之一,特别是贵重的硬脆晶体材料,如晶体硅、蓝宝石、光学玻璃等。最初的内、外圆

     切割技术难以保证锯切的直线度,并且切缝较宽,无法实现曲线切割:游离磨料线锯切割过程中磨料垂直于工件表面,加工时容易产生裂痕,对硅片

     强度造成损害,且线锯使用寿命短,工作环境差。金刚石线锯技术具有线径小、加工精度好、切片厚度均匀、表面质量好、面型精度高、切割效率

     和成材率高等优点,综合性能突出,同时金刚石磨粒对基体磨损小,能够大幅提高切片的耐用性和使用寿命。


            现有技术中的金刚石线锯一般采用电镀的方法在金属丝上沉积一层金属(一般为保和保钻合金) ,并在金属内固结金刚石磨料制成的一种线性超

     硬材料工具。金属镀层是结合剂,金刚石微粉用于切割加工。采用此工艺制备而成的金刚石线锯在使用前需要经过开刃处理后才可使用且金刚石微

     粉容易脱落,处理工艺复杂。


   【研制情况】

            国内大学科研机构针对现有技术问题而研制出了一种自组装金刚石线锯切割材料及其制备方法,切割材料由依次层叠包覆于钢丝母线外的吸附

     固化层、镀层和金刚石微粉组成,所述金刚石微粉中的金刚石颗粒的底部分嵌入吸附固化层中,且金刚石颗粒的基底被镀镍层包裹。自组装金

     刚石线锯切割材料及其制备方法中的吸附固化层均匀的浸润在钢丝表面对金刚石微粉具有良好的吸附性,从而大幅提高了单位面积钢丝表面的上砂

     量和上砂稳定性;金刚石颗粒紧密排列在钢丝表面,排列紧密均匀,减少了上砂镀镍过程中团聚现象,能够有效减少硬脆材料切割时崩脆情况的发生;

     无需开刃处理,钢丝表面金刚石颗粒出刃高度均主匀,出刃率高,金刚石线线径小且均匀。


  
研制目的及优点】 
           生产的金刚石线锯与现有技术所生产的线锯相比,具有以下特点:
           (1)其一、吸附固化层均匀的浸润在钢丝表面对金刚石微粉具有良好的吸附性,从而大幅提高了单位面积钢丝表面的上砂量和上砂稳定性:其二、

     金刚石颗粒紧密排列在钢丝表面,排列紧密均匀,减少了上砂镀媒过程中团聚现象,能够有效减少硬脆材料切割时崩脆情况的发生:其兰、无需开刃

     处理,钢丝表面金刚石颗粒出刃高度均匀,出刃率高,金刚石线线径小且均匀:


           (2)一、在吸附剂作用下,金刚石微米颗粒紧密排列在钢丝表面,排列紧密均匀,整体覆盖率可达到95%以上:

               二、无需开刃处理,钢丝表面金刚石颗粒出刃高度和出刃率高:

               三采用裸砂直接上砂,无需采用镀镍砂,大幅降低生产成本。

  







重点工艺部分摘要  

            一种自组装金刚石线锯切割材料,由依次层叠包覆于钢丝母线外的吸附固化层、镀媒层和金刚石微粉组成,所述金刚石微粉中的金刚石颗粒的

     底部部分嵌入吸附固化层中,金刚石颗粒的基底被镀镍层包裹。钢丝母线的直径为40-150μm,吸附固化层的厚度为大于0且小于0.4μm,镀媒层的

     厚度为2-12μm,金刚石微粉的粒径为6-16μm,其中的金刚石颗粒为多面体。


            配置除油粉溶液,包含120g/L表面活性剂(三乙醇胺油酸皂、磷酸酯的重量比为3:1 的混合液),除油粉溶液中安装金属极辊,给予极正电、

     负电。配置混合溶液A,使其包含5g/L的正电吸附剂(聚乙烯吡啶和聚乙烯亚胺体积比为2:1的混合液),10g/L的三乙烯四胺,0.08mo l/L的无机盐

     (氯化钠和硫酸钠质量比1: 1);配置混合溶液B,使其包含5g/L的负电吸附剂(聚丙烯酸和聚甲基丙烯酸体积比为3:1的混合液),10g/L的三乙烯四胺 

     0.08mol/L的无机盐(氧化纳和硫酸纳质量比1:1)。加入的10-15μm金刚石微粉至混合液b中,金刚石微粉含量为12g/L,进行充分稀释,充分搅拌

     分散,循环冲击。直径为80μm钢丝经过除油溶液后,经水洗后,经过混合溶液A,经过时间15秒钟,再经过混合溶液B,经过时间15秒钟。进入

     烘干箱体,烘干温度为150 ℃,直接进入预镀操、镀操、固化、逆流水洗,最后卷绕成型。

            经扫描电子显微镜观察,钢丝表面镀媒厚度为5μm,钢丝表面单位长度(mm) 金刚石颗粒平均数量为186,金刚石颗粒平均出刃高度7.1μm

     钢丝破断力为22.3N 。经测试,金刚石线锯切割线的破断力、出刃率明显升高,无颗粒团聚现象产生。

  

  

 

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超砥粒砥石
超砥粒锯切工具
日本資料介绍
●  金刚石研磨液
●  CBN系列
中文技术资料
日本の技術資料
研磨工具の應用
柔性抛光材料
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《金刚石新技术》

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