（一）场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。
（二）场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。
（三）场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。
（五）场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。
本篇是为了配合国家产业政策向广大企业、科研院校提供单级场效应晶体管技术制造工艺汇编技术资料。资料中每个项目包含了最详细的技术制造资料,现有技术问题及解决方案、产品生产工艺、产品性能测试，对比分析。资料信息量大,实用性强,是从事新产品开发、参与市场竞争的必备工具。
【资料内容】生产工艺、配方
【出品单位】国际新技术资料网
【资料页数】876页
【项目数量】60项
【资料合订本】1680元(上、下册)
【资料光盘版】1480元（PDF文档）
目录
1 一种沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管制备方法
包括：衬底、外延层、漏极；沟槽型栅，沟槽型栅位于外延层内部分的最外层为第一掺杂类型的层结构；两个源区深槽，形成在沟槽型栅的两侧且与沟槽型栅间隔设置，源区深槽的下表面低于沟槽型栅的下表面；两个第一掺杂类型的源区，分别自两个源区深槽的下表面向下形成；两个第二掺杂类型的沟道区，两个沟道区分别连接在沟槽型栅的两侧；两个第一掺杂类型欧姆接触区，形成在两个源区之上，且同侧的第一掺杂类型欧姆接触区和沟道区连接；所述源区和所述外延层位置中位于两个源区之间的结构形成PN结。解决了传统的沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管的漏电较大的技术问题。
2 一种结型场效应晶体管及其制备方法和应用
所述结型场效应晶体管包括依次叠层设置的衬底、N型In2Se3薄膜层和P型SnSe薄膜层，所述N型In2Se3薄膜层远离所述衬底的表面设有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间形成沟道，所述P型SnSe薄膜层设于所述沟道中，且与所述源电极和漏电极相互隔离，所述P型SnSe薄膜层上设有栅电极，其中，所述N型In2Se3薄膜层与所述P型SnSe薄膜层的厚度比为1:1.5~1:2。能够兼顾高输入阻抗、低噪声和高集成度，同时具有可编程性、存储性、低功耗和神经突触特性等，应用前景广泛。
3 一种抗单粒子辐照的金属氧化物半导体场效应晶体管制备方法
在场效应晶体管处于宇宙射线或重离子入射的状态时，因场效应晶体管内设置有第一导电类型多晶硅源极区域，使得寄生晶体管开启时电流增益降低，降低了器件的载流子倍增效应，以改善器件抗单粒子性能，再通过第二导电类型多晶硅源极区域形成一条空穴流动的通道，以将重离子入射时在氧化层下产生的空穴排除器件，使得氧化层内部的峰值电场降低。在降低器件载流子倍增效应后，再通过空穴通道提高抗单粒子辐照性能，使得器件具有低的氧化层峰值电场和漏极电流，改善场效应晶体管的抗单粒子栅穿性能和烧毁性能，以提升了器件的抗单粒子辐照的能力。
4 一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管制备方法
包括包括漏极金属层、锗硅异质结结构、传导区域、体区域、重掺杂接触区域、氧化层(8)、重掺杂栅极多晶硅层、源极金属层；本发明改善了器件的反向回复特性，相较于现有的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，反向恢复时间更小、反向恢复时间更短、反向恢复电荷更低。当晶体管承受反向电压的时候，即金属氧化物半导体场效应晶体管工作在逆向导通状态下时，从源极注入的空穴将流向漏极；然而器件源极侧的异质结结构将会导致能带上的差异变化，使得空穴更容易从漂移区内部进入到锗硅区域中，实现减少漂移区内部空穴浓度的效果，实现改善反向恢复性能。
5 一种金属?氧化物半导体场效应晶体管以及功率器件制备方法
该金属?氧化物半导体场效应晶体管包括：衬底；外延层；外延层远离衬底的一侧设置有漂移区、阱区和第一有源区，第一有源区的导电类型和阱区的导电类型相反；镇流电阻区，镇流电阻区位于阱区远离漂移区的一侧；镇流电阻区的导电类型和第一有源区的导电类型相同；低阻区，低阻区位于阱区远离漂移区的一侧；低阻区的导电类型和第一有源区的导电类型相同；低阻区的掺杂浓度大于镇流电阻区的掺杂浓度，低阻区的掺杂浓度小于第一有源区的掺杂浓度；镇流电阻区和低阻区位于第一有源区的同一侧。提供的技术方案提升了器件承载瞬态大电流的能力以及短路特性。
6 一种垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法
场效应晶体管包括衬底和外延层、至少一个重复单元；外延层位于衬底之上；重复单元包括：沟槽型的栅极；第一栅介质层，形成在栅极的底部和侧壁，且第一栅介质层自外延层的上表面向下形成在外延层内；其中，沟槽型的栅极和第一栅介质层将重复单元一分为二；一个源极和一个体导通的导通关断结构，形成在外延层内且位于第一栅介质层的一侧，使得位于重复单元的第一部分；第二掺杂类型的承压区，形成在外延层内且位于第一栅介质层的另一侧，使得位于重复单元的第二部分。解决了传统的垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管的击穿电压较低的技术问题。
7 一种基于BCD集成的金属氧化物场效应功率晶体管及工艺
该晶体管包括衬底，衬底内设有深槽隔离将所述衬底隔离成高压区和低压区，低压区两侧均具有深槽隔离；所述衬底包括沿竖直方向从下到上依次堆叠的第一金属引出层、N+衬底层、N?外延层；所述高压区内至少具有SGT?NMOS主体，所述低压区内至少具有PNP型双极晶体管主体和低压CMOS器件主体；第一金属引出层还延伸设置于整个晶体管的背面；所述SGT?NMOS主体、PNP型双极晶体管主体和低压CMOS器件主体均构建于N?外延层内或N?外延层上，并分别与衬底组成SGT?NMOS、PNP型双极晶体管和低压CMOS器件。通过高压区与低压区的结构设计，对SGT?NMOS、PNP型双极晶体管和低压CMOS器件进行集成，实现电源管理模块和驱动功率器件的集成。
8 一种垂直双扩散金属?氧化物半导体场效应晶体管及制备方法
包括衬底，所述衬底上依次设有外延层、栅氧化层、金属层和钝化层；所述钝化层包括高密度等离子增强型氧化层膜质和等离子增强型氮化硅。通过采用高密度等离子增强型氧化层膜质与等离子增强型氮化硅作为钝化层，可更好的填充厚铝工艺经湿法刻蚀后形成的水滴状形貌，使源区和栅区高度差降低，填充钝化层内空洞。并降低了垂直双扩散金属?氧化物半导体场效应晶体管的栅源漏电流。提升了垂直双扩散金属?氧化物半导体场效应晶体管钝化层的钝化能力。解决现有技术中存在的垂直双扩散金属?氧化物半导体场效应晶体管栅源漏电流大的问题。
9 一种基于ScAlN_GaN的P沟道异质结场效应晶体管及其制备方法
包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、AlN插入层、ScAlN势垒层、GaN通道层、P型轻掺杂GaN盖帽层、N型重掺杂GaN层和P型重掺杂GaN盖帽层，所述N型重掺杂GaN层位于P型轻掺杂GaN盖帽层的一个凹栅中；所述P型重掺杂GaN盖帽层上形成栅极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层一端形成源极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层另一端形成漏极。使用的是Sc0.18Al0.82N，与GaN没有晶格失配，提高了空穴迁移率，从而增大了开态电流。
10 碳化硅P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
该场效应晶体管包括P+型源区与P型漏区，P+型源区与P型漏区之间通过N型基区形成可控的电连接路径；栅极跨越连接P+型源区与P型漏区的N型基区表面，通过栅极电压控制所述电连接路径的通断；漏极金属电极电连接P型漏区，源极金属电极电连接P+型源区；所述N型基区、所述P型漏区均为碳化硅基底掺杂，P+型源区的材料为单晶硅或者多晶硅。通过在碳化硅MOSFET中将源区材料由SiC基底更改为其他基底材料，通过源区的材料变化间接地提高了N型基区中沟道区的载流子迁移率，从而可以明显地提升P沟道碳化硅MOSFET的导电能力。
11 一种平面栅型功率金属?氧化物场效应晶体管以及功率器件
该晶体管包括：衬底，衬底包括第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面；漂移区，漂移区位于衬底的第一表面的一侧，漂移区远离衬底的一侧设置有体区和有源区；有源区包括多个子有源区，多个子有源区在垂直于衬底指向漂移区的方向间隔排列，体区包括多个子体区，多个子体区在垂直于衬底指向漂移区的方向间隔排列，多个子体区和多个子有源区一一对应设置；平面栅结构，平面栅结构位于漂移区远离衬底的一侧；源极，源极覆盖部分子有源区；漏极，漏极位于衬底的第二表面。提供的技术方案减少了平面栅型功率金属?氧化物场效应晶体管的导通电阻。
12 一种改进导通特性的硅基超级结场效应晶体管制备方法
包括：衬底、n?型漂移区、超级结p型梯形掺杂区、p?型基区、n+型源区、源极金属铝和栅氧及多晶硅层；其中，n?型漂移区位于衬底的上部；n?型漂移区内部设置有倒梯形沟槽，超级结p型梯形掺杂区设置于倒梯形沟槽内；p?型基区位于超级结p型梯形掺杂区的上部；n+型源区嵌于p?型基区内；栅氧及多晶硅层位于n?型漂移区、p?型基区和n+型源区的上部；其中，与p?型基区和n+型源区对应的栅氧及多晶硅层的位置处开设通孔；源极金属铝位于栅氧及多晶硅层的上部，其中，源极金属铝的部分与p?型基区和n+型源区相接触。解决传统超级结结构带来的通流能力弱、导通损耗大问题。
13 一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法
器件包括衬底和外延层、至少一个重复单元，外延层位于衬底之上，衬底作为漏区；重复单元包括：两个沟槽，两个沟槽在横向间隔设置；栅极介质层，至少形成在沟槽的内底；两个栅极，分别形成在两个沟槽的栅极介质层之上；第一掺杂类型的源区，形成在两个沟槽之间；第二掺杂类型沟道区，形成在源区之下；第一掺杂类型沟道区，形成在第二掺杂类型沟道区内；第一掺杂类型沟道区和第二掺杂类型沟道区形成JFET区域，同一个重复单元的JFET区域由两个栅极控制。解决了传统的JFET器件的栅极对沟道的夹断和开启较慢，限制了其作为功率开关的应用的技术问题。
14 一种低导通电阻金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法
包括栅氧层的制备工艺，具体包括：按照工业标准湿法清洗工艺对基板进行清洗；采用高温氧化技术在基板表面得到第一栅氧层，随后进行原位退火处理；采用原子层沉积技术在所述第一栅氧层上沉积一层第二栅氧层；所述第一栅氧层与第二栅氧层的厚度之和等于设定厚度；所述第一栅氧层的厚度为1?100纳米；进行退火处理，完成制备，获得较高的沟道迁移率，最终提升了碳化硅器件性能。
15 一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法
包括栅氧层的制备工艺，具体包括：按照工业标准湿法清洗工艺对基板进行清洗；采用原子层沉积技术在完成清洗的基板上沉积一层栅氧层，所述栅氧层厚度根据设定厚度确定；进行退火处理，所述退火温度为400℃?1300℃；所述退火时间为10?120分钟，获得较高的沟道迁移率，最终提升了SiC?MOSFET性能。
16 一种双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管及其制造方法
包括：衬底、超结结构、栅极结构、沟道结构、第一电极和第二电极。超结结构包括漂移层，漂移层为N型掺杂。栅极结构包括势垒层、栅极帽层、第一栅极和第二栅极。势垒层和漂移层接触用于形成二维电子气导电沟道，在正向导通时，二维电子气导电沟道能够降低正向导通电阻，提高正向导通电流，提高器件性能。栅极帽层为P型掺杂，当晶体管为关态时，利用栅极帽层耗尽二维电子气导电沟道的电子，实现高耐压性能。第二栅极位于栅极帽层远离衬底的一侧表面，这样第一栅极和第二栅极就能够分别进行晶体管的开关状态的控制，提高栅极可靠性，进而提高器件性能。湖北九峰山实验室
17 一种氧化铪基铁电场效应晶体管及其制备方法
衬底、形成于所述衬底中的源极和漏极、位于所述衬底上且投影介于所述源极和所述漏极之间的绝缘层、以及在所述绝缘层上依次设置的多层铁电层和栅电极层；其中，多层铁电层采用分层退火处理，如此，分层退火处理会细化晶粒，有效地提高铁电晶粒的数量，同时，相比相同厚度的单层铁电层，多层铁电层存在多个较薄的独立单层结构，这使得多层铁电层中的铁电晶粒数量是单层的数倍，铁电晶粒数量增加能改善小尺寸氧化铪基铁电薄膜的性能均一性，从而改善小尺寸铁电场效应晶体管之间的性能差异。湘潭大学
18 一种结型场效应晶体管及其制备方法和应用
包括依次层叠设置的p型Si层、SiO2层、β?Ga2O3纳米带和GaSe纳米片，β?Ga2O3纳米带远离SiO2层的那一面的一端设置有源电极，另一端设置有漏电极，GaSe纳米片设置在β?Ga2O3纳米带远离SiO2层的那一面的中间区域，且与源电极和漏电极相互隔离，GaSe纳米片远离β?Ga2O3纳米带的那一面设置有栅电极。具有开启电压低、关态电流小、亚阈值摆幅低、电流开关比高、结构简单等优点，且其制备方法简单、可重复性强、成品率高，适合进行大规模工业化生产应用。华南理工大学
19 一种垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法
包括第一掺杂类型的衬底和外延层、多个重复单元，其中，外延层位于衬底之上，衬底作为漏区；重复单元包括：两个第一掺杂类型的源区，形成于外延层内且在横向间隔设置；沟槽，自外延层的上表面向下形成且沟槽位于两个第一掺杂类型的源区之间；第二掺杂类型的栅，形成在所述沟槽的内壁和底部；其中，栅处于浮空状态；介质层，至少形成在所述栅的内底之上；耦合电容上电极，形成在所述介质层之上；栅由耦合电容上电极间隔介质层间接控制。解决了传统的JFET器件的栅极无法加较高的电压和栅极可靠性低限制了其作为功率开关的应用的技术问题。
20 一种基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法
该环栅场效应晶体管包括：N型掺杂的氧化镓衬底；柱状沟道，形成于氧化镓衬底，适用于为电流流动提供通道；第一绝缘层，设置在氧化镓衬底上环绕于柱状沟道周围的区域；栅极介质层，设置在第一绝缘层上，并延伸至包围柱状沟道的侧面区域；栅极金属层，设置在栅极介质层上，呈环状包围栅极介质层，适用于控制柱状沟道中的电流流动；第二绝缘层，设置在栅极金属层上，具有贯通至栅极金属层的电极孔，电极孔以柱状沟道为中心呈环状；栅极，设置在第二绝缘层上并贯穿电极孔，与栅极金属层接触；源极，设置在柱状沟道顶部；以及漏极，设置在氧化镓衬底的底部。
21 一种制备垂直沟道金属氧化物半导体晶体管的方法
属于半导体技术领域。首先RIE刻蚀氧化硅隔离层形成沟槽，再分别制备源/漏电极、有源层、栅介质层以及金属栅电极，得到由位于沟槽内的栅极控制的串联垂直沟道氧化物晶体管。可以避免源漏交叠区的产生以及其导致的源漏寄生电容；可以通过一次光刻形成两个晶体管的串联。
22 高电子迁移率氧化镓场效应晶体管制备方法及晶体管制备方法
包括以下步骤：以Fe?dope?Ga2O3为衬底，在衬底上依次由下至上外延生长缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层为n型掺杂的AlGaO势垒层与非故意掺杂的势垒层，沟道层为非故意掺杂的高电子迁移率半导体沟道层；在势垒层上沉积再生长掩膜层；蚀刻再生长区域；在再生长区域再生长源漏区域，并去除掩膜；在源漏区域制作源漏欧姆电极；隔离有源区域和无源区域；沉积栅金属电极，制得AlGaO/高电子迁移率半导体/Ga2O3场效应晶体管。通过在Ga2O3场效应晶体管中加入高电子迁移率半导体材料，制得高迁移率、高耐压、低漏电的场效应晶体管器件。
23 一种场板结构氧化镓场效应晶体管及其制备方法
包括以下结构：氧化镓衬底层；氧化镓衬底层上表面的氧化镓外延层；氧化镓外延层上表面的Mg掺杂氧化镓层、源电极和漏电极；覆盖于Mg掺杂氧化镓层和部分氧化镓外延层上表面的栅介质层，以及位于栅介质层上表面的栅电极。提出了用Mg掺杂再生长的氧化镓代替二氧化硅或氮化硅非晶绝缘介质，实现高击穿和高稳定的氧化镓场效应晶体管。中国科学技术大学
24 一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
包括：衬底；位于衬底底部的漏极；位于衬底上的外延层；位于外延层中、靠近外延层上表面且呈轴对称的两个P基区；位于P基区中的源区和短路区；位于外延层背离衬底一侧的栅极绝缘介质层；位于外延层上的分隔栅极；位于栅极绝缘介质层和分隔栅极上的层间介质；位于层间介质、短路区和部分源区上的源极；位于外延层中、沿外延层的轴心线的延伸方向与栅极绝缘介质层相对设置的注入区。通过设置注入区能够对栅极绝缘介质层进行遮蔽，减轻了分隔栅极受单粒子效应的影响，以使器件在单粒子辐照过程中的栅极漏电流减小；同时为电子空穴对提供了泄露路径，以避免器件受单粒子辐照而烧毁失效。
25 一种竖向结型场效应晶体管VJFET制备方法
包括在半导体本体中沿着第一横向方向延伸的多个台面区。沟槽结构包括被经由多个沟槽结构的底部侧或者侧壁中的至少一个电连接到半导体本体中的第一导电类型的栅极区的栅极接触材料。多个沟槽结构的宽度满足如下的i)或者ii)：i)与沟槽结构中的更中心的部分中相比，沟槽结构中的被沿着第二横向方向布置在最外的至少一个的宽度更小，或者ii)与多个沟槽结构中的更中心的部分中相比，沿着第一横向方向上的端部部分，多个沟槽结构中的至少一些的宽度更小，沿着第一横向方向的端部部分的延伸大于沿着第二横向方向的多个沟槽结构中的邻近的沟槽结构之间的间距。英飞凌科技奥地利有限公司
26 一种二硫化铼?碲异质结结型场效应晶体管及其制备方法和应用
包括设置于衬底上的p型碲纳米片，与p型碲纳米片呈交叉设置的n型二硫化铼薄层，第一电极和第二电极分别设置于p型碲纳米片的两端，第三电极和第四电极分别设置于n型二硫化铼薄层的两端；第一电极和第二电极分别作为源极和漏极时，第三或第四电极作为栅极；第三电极和第四电极分别作为源极和漏极时，第一或第二电极作为栅极，该设置使得同一结构中集成了p型和n型JFET，使得通过不同电极的选择实现了p型JFET和n型JFET的切换，实现了低功耗和高迁移率，节约了成本；该方法简单易操作，不涉及介电层的制备，避免了复杂的介电工程，提升了器件性能。华南师范大学
27 一种氧化镓结型场效应晶体管及其制备方法
旨在解决现有对氧化镓进行有效的P型掺杂比较困难，极大的影响了结型场效应晶体管的性能的问题。为此目的，氧化镓结型场效应晶体管通过形成第一掺杂半导体外延层作为栅极区域，该第一掺杂半导体外延层至少覆盖鳍式氧化镓漂移层的平坦部显露出的上表面且与鳍式氧化镓漂移层的材料不同，避免了现有技术中进行有效P型掺杂比较困难的问题，可以保证良好的栅控特性，有利于提高结型场效应晶体管的性能。
28 一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制备方法
涉及半导体集成电路领域，其包括：漏极位于衬底的背面，N?漂移区和N+缓冲区均位于衬底的正面且依次设置在P?区的下方；P阱与P?区横向相接，N+源区位于P?区与P阱之间；衬底表面覆盖有第一氧化层，第一氧化层一侧沉积有第一多晶硅，第一多晶硅作为第一栅极；沟槽位于第一氧化层的正下方以及P?区的两端；源极位于P?区的正上方，并位于第一栅极的两侧；层间介质位于源极与第一栅极之间。通过设置沟槽，MOS管有效栅极氧化层处的电场减弱，并优化了体二极管的性能，从而提升MOS管的可靠性。
29 一种异质结场效应晶体管及其制备方法、制备设备
属于CMOS器件技术领域，其中的异质结场效应晶体管，包括：外延片和电极层，外延片包括极化材料盖帽层，极化材料盖帽层与电极层接触连接。由于p?InN或者p?InGaN的迁移率可以在室温下达到180cm2/Vs，远高于现有技术中双异质结结构的室温空穴迁移率，将InN或者InGaN作为盖帽层，可以提高空穴迁移率，从而提高CMOS器件的导电性。
30 一种双结型场效应晶体管及其制备方法
其包括：衬底、p型Te纳米片、n型MoS2纳米片、源电极、漏电极、顶栅电极和衬底栅电极；p型Te纳米片设于衬底表面，n型MoS2纳米片穿插设置于Te纳米片中、与Te纳米片呈交叉状，Te纳米片与所述MoS2纳米片之间构成垂直的双范德华异质结；本发明将Te和MoS2应用于结型晶体管(JFET)中，通过调控p型Te纳米片的栅极电压来实现p型Te纳米片与MoS2形成的两个p?n结范德华异质结结区的耗尽区深度，实现对耗尽区域的电学性能的调节，具有较低的亚阈值摆幅以及高开关比等电学性质。华南师范大学
31 一种异质结场效应晶体管及其制备方法
包括自下而上依次设置的衬底层、Ga2O3缓冲层、AlGaO势垒层和栅电极，Ga2O3缓冲层之上设有源极区域和漏极区域，且源极区域和漏极区域分别位于Ga2O3缓冲层的两端，栅电极包括第一金属和第二金属，栅电极位于源极电极和漏极电极之间，第一金属位于源极电极一侧，第二金属位于漏极电极一侧，第一金属的功函数比第二金属高。本发明通过调节β?(AlxGa1?x)2O3/Ga2O3HFETs沟道中的电场分布，能够提高沟道中的载流子漂移速度，从而提高器件的跨导、截止频率、最大振荡频率。
32 一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法
包括依次设置的漏极、氧化镓衬底、耐压层、p基极层、导电层。该氧化镓场效应晶体管的有源区设有多个第一凹槽，至少一个第一凹槽的底部设有高阻层且内部设有栅介质层和栅电极，栅电极表面设有第一层间介质；未设置高阻层的第一凹槽内设有第一p型材料层。过渡区设有一个内部沉积有第二p型材料层的第二凹槽。终端区设有多个内部沉积有第三p型材料层的第三凹槽。有源区的导电层和第一层间介质表面设有源极。该氧化镓场效应晶体管能降低半导体器件表面的电场，减少对栅介质材料厚度的依赖性，并具有耐压效率高、占用面积小的特点。
33 结型场效应晶体管技术
包括晶体管主体、防尘套和固定座，所述晶体管主体的两端均设置有金属条，所述晶体管主体的顶部设置有绝缘结构，所述绝缘结构包括第一包裹层、泡沫层以及第二包裹层，所述第一包裹层设置于晶体管主体的顶端，所述晶体管主体两侧的顶部均固定有固定座。通过设置有绝缘结构，将泡沫层与第二包裹层和第一包裹层的外侧相连接不受机械损伤和化学腐蚀、不接触水蒸汽受潮、防止接触导体触电,可增强机械强度和延长使用寿命，实现了该装置具有绝缘的功能，从而延长了该结型场效应晶体管的使用寿命。
34 一种功率金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法
包括衬底、基极区、掺杂区、漂移区、栅极结构、绝缘层、导电层、源极电极与漏极电极。基极区设置于衬底中且邻近衬底的第一表面。掺杂区设置于基极区中且邻近衬底的第一表面。漂移区设置于衬底中且位于基极区下方。栅极结构设置于衬底中且包括第一与第二部分。第一部分位于漂移区中。第二部分位于掺杂区、基极区与漂移区中。绝缘层设置于栅极结构与衬底之间。导电层围绕第二部分且位于绝缘层与衬底之间。源极电极设置于衬底的第一表面上且连接掺杂区。漏极电极设置于衬底的第二表面上。衬底、掺杂区以及漂移区具有第一导电型。基极区具有第二导电型。联华电子股份有限公司
35 一种结型场效应晶体管制备方法及结型场效应晶体管制备方法
所述方法包括：在第一半导体材料层内形成三个依次排列的掺杂区，包括中间的第一类型掺杂区和所述第一类型掺杂区两侧的第二类型掺杂区；三个所述掺杂区的导电类型均与所述第一半导体材料层的导电类型相反，且所述第二类型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一类型掺杂区的掺杂浓度；在所述第一类型掺杂区中形成栅极；在所述第二类型掺杂区中分别形成源极和漏极。结型场效应晶体管制备方法及结型场效应晶体管，具有更高的BV。
36 一种内置肖特基接触超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管制备方法
包括源极金属层(1)、重掺杂第一导电类型虚拟栅多晶硅层(2)、重掺杂第一导电类型栅极多晶硅层(3)、氧化层(4)、第二导电类型阳极区域(5)、第二导电类型栅极体区域(6)、重掺杂第一导电类型栅极接触区域(7)、第一导电类型传导区域(8)、轻掺杂第一导电类型漂移区(9)、重掺杂第一导电类型衬底层(10)、漏极金属层(11)；改善了器件的反向恢复特性，相较于内置超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，反向恢复时间更短、反向恢复电流峰值更小。重庆大学
37 一种二维范德华异质结场效应晶体管及其制备方法
包括：SiO2/Si衬底；设置在衬底上的第一个二维材料层为半导体层；分别设置在所述第一个二维材料层两端的源电极和漏电极，在所述源电极和漏电极之间为沟道区；设置在第一个二维材料层上的第二个二维材料层为绝缘介质层；设置在第二个二维材料层上的栅电极。提供的二维范德华异质结场效应晶体管在源极电压+0.1V情况下开关比高达106；接近理论极限的亚阈值摆幅；并且顶栅调制的传输曲线表现出很小的迟滞。南昌大学
38 一种结型场效应晶体管及其制造方法
芯片，在源漏之间形成了环绕第三掺杂区（即沟道）的掺杂区环，由此使得该结型场效应晶体管的夹断电压由所述第三掺杂区在垂直于轴向和半导体衬底厚度方向的径向上的线宽（即掺杂区环在该方向上的内径）决定，由此，在JEFT在该径向上的夹断电压不高于其在半导体衬底厚度方向上的夹断电压的前提下，通过第三掺杂区在该径向上的线宽的可调可控，就能成功实现JFET夹断电压的可调可控，从而利于实现所需的JFET和芯片的性能。进一步地，即使该JFET是现有120V?BCD等BCD工艺平台上寄生集成的JFET，显然也能成功实现JFET夹断电压的可调可控。
39 一种双栅结型场效应晶体管及其制备方法
晶体管包括依次堆叠的衬底、第一二维材料层、第二二维材料层、第三二维材料层、第四二维材料层以及电极。方法包括提供衬底，依次在衬底上方转移形成第一二维材料层WS2、第二二维材料层AsP、第三二维材料层Gr、第四二维材料层WS2以及电极并在衬底上方形成第一栅电极以及第二栅电极。通过直接带隙半导体类型的第三二维材料层作为电极的集成，可以提高其门可调费米能级、原子光滑界面和超高的载流子迁移率。制备的场效应晶体管，实现了接近理想的亚阈值摆幅，且二维材料AsP层的迁移率高，在小的源漏电压下能实现大的电流响应，还具备优异的光电性能、低亚阈值摆幅。
40 一种金属氧化物终端金刚石场效应晶体管及制备方法
包括：金刚石衬底；源极和漏极，分别设置于金刚石衬底上表面的两侧；金属氧化物终端，设置于金刚石衬底上表面，且位于源极和漏极之间；栅介质层，设置于金属氧化物终端上表面；栅极，设置于栅介质层上表面。金属氧化物终端与栅介质之间晶格匹配，能够有效降低界面态密度，提高金属氧化物终端上表面沉积的栅介质的质量，进而使金属氧化物终端金刚石具备高载流子迁移率，使金属氧化物终端金刚石场效应晶体管具备良好的直流和射频性能。
41 一种碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管及形成碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管的制造方法
碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管包括主动区域及环绕主动区域的周边区域，碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管包括半导体基板、外延层、场氧化层、多晶硅层、介电层以及金属接触层。半导体基板具有碳化硅层，外延层设置在半导体基板上且外延层具有掺杂层。多晶硅层设置在所述氧化层上，多晶硅层在周边区域具有多个P型重掺杂区及多个N型重掺杂区，多个P型重掺杂区及多个N型重掺杂区交替排列设置以形成齐纳二极管。
42 氧化镓异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法
晶体管包括p型半导体衬底、绝缘阻隔层、n型氧化镓沟道层、导电电极层、高介电常数氧化物栅介质层，所述p型半导体衬底上方设置绝缘阻隔层，所述阻隔层之间以及上方设置所述n型氧化镓沟道层，所述n型氧化镓沟道层上设置所述高介电常数氧化物介质层，在所述绝缘阻隔层一侧、n型氧化镓沟道层及高介电常数氧化物介质层上方设置所述导电电极层。采用薄层高介电常数氧化物作为栅介质，易于从氧化物半导体结处的p型载流子的外部源吸引空穴，发生带间隧穿，突破传统MOSFET器件的玻尔兹曼限制，使得亚阈值摆幅降低至60mV/decade以下。在高速度和低功耗逻辑开关电路中具有重要的应用前景。南京大学
43 一种金属氧化物半导体场效应晶体管制备方法
包括具有第一主表面的半导体主体和从第一主表面在半导体主体中延伸的两个沟槽；在第一主表面处与两个沟槽的侧壁相邻的第一导电类型的源极区；在远离源极区的位置处与两个沟槽相邻的第一导电类型的漏极区；在源极区和漏极区之间与所述两个沟槽的侧壁相邻的与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道容纳区，其中两个沟槽中的第一沟槽与两个沟槽中的第二沟槽相比进一步延伸到半导体主体中。安世有限公司
44 由碳化硅(SiC)晶片制成的集成的MOSFET?JFET器件
具有N+源极、P体二极管和上N区，在多晶硅栅极的侧壁上形成垂直MOSFET。上N区下方的N衬底形成漂移区，其被JFET夹住以限制饱和电流。MOSFET之间形成沟槽。通过对沟槽的底部和侧壁进行掺杂以在N衬底上形成P+抽头而形成了JFET。N衬底内的P岛形成在P+抽头下方。这些P岛在靠近表面的地方比较宽，但越深入N衬底，随着垂直间距的增加而逐渐变窄。这种P岛的渐变为JFET耗尽区提供了一种锥形形状，它夹住了N衬底中的MOSFET漂移区，以限制饱和电流并降低线性区的导通电阻。香港应用科技研究院有限公司
45 一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
该晶体管通过在JFET区集成肖特基势垒二极管，改善了碳化硅双极退化现象，提高芯片可靠性，降低了模块封装成本；槽式结构的肖特基势垒二极管，有效的保护对金属氧化物半导体场效应晶体管的JFET区电场及肖特基势垒二极管的肖特基接触电场进行保护，提升金属氧化物半导体场效应晶体管的阻断能力；槽型式的源极结构，在三维空间上增加了源孔的接触面积，降低了源接触电阻对器件整体电阻的影响，利于更大电流容量的输出。
46 鳍状结型场效应晶体管及其制备方法
芯片，通过在半导体衬底形成N型漂移层，在N型漂移层上形成连接区，在连接区两侧形成鳍状结构的P型掺杂层，并在P型掺杂层表面依次形成介电层、功函数金属层以及栅极金属层，在两侧的P型掺杂层的外侧形成第一源极掺杂层和第二源极掺杂层，从而使得由半导体衬底背面的漏极流出的电流经由N型漂移层以及鳍状区域的连接区，通过鳍状结构的第一P型掺杂层和第二P型掺杂层结构感应出的电流通道达到源极，由鳍状结构上的栅极金属层感应出电流通道即可开启器件，实现兼顾高击穿电压、高电流密度以及较小的器件面积的目的。
47 一种半导体场效应晶体管及其制备方法、电路组件
该半导体场效应晶体管包括碳化硅N型衬底层、带有多个凹槽的碳化硅N型外延层、包括P型阱区、P+掺杂区、N+掺杂区和P型碳化硅层的掺杂层区、栅极层、用于形成欧姆接触的第一金属层、与所述碳化硅N型外延层接触以形成肖特基接触的第二金属层、漏极层和源极层。通过形成的肖特基区域中肖特基接触降低内部的内部导通电压以降低双极退化，并且肖特基区域构建场效应管结构间的连接，减少栅漏电容面积以此减小米勒效应带来的影响。
48 一种垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管及制备方法
属于信息材料与器件技术领域，氧化物半导体场效应晶体管采用沟槽状的氧化物半导体沟道层，在沟槽内再填充氧化物半导体材料，氧化物半导体填充层材料的氧空位浓度比氧化物半导体沟道层材料的氧空位浓度小；通过采用低载流子浓度的氧化物半导体作为内部填充材料，可以有效提升垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管的阈值调控能力，并避免界面损伤和非必要掺杂的影响，实现可精准调控阈值的垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管。北京大学
49 一种高性能的双栅结型场效应晶体管及其制备方法
在一优选实施例中，其包括二维Te和二维MoS2组成的双P?N结，其由三层结构组成，上下两层为二维MoS2层，中间一层为二维Te层，层与层之间成交叉结构，MoS2层之间共用电极作为栅极；Te层作为载流子沟道层，两端电极作为源漏。该器件结构，通过调控P?N结的正反偏，调控Te沟道层的耗尽区宽度，实现JFET的开启和关断，由于本结构没有介电层，实现了接近理想的亚阈值摆幅，且二维Te的载流子浓度高，小的源漏电压下就能够实现大的电流响应。所设计的JFET，具有极小的亚阈值摆幅和大的开态电流，对于要求低功耗和大电流设计的设备至关重要。华南师范大学
50 一种双沟道堆叠金属氧化物纳米纤维场效应晶体管的制备
包括：S1、分别制备铟前驱体溶液和锌前驱体溶液；S2、先通过静电纺丝技术将铟前驱体溶液纺制在基底表面形成铟前驱体纤维层，然后通过静电纺丝技术将锌前驱体溶液纺制在铟前驱体纤维层表面形成锌前驱体纤维层，得到双层前驱体纤维层覆盖基底；S3、将双层前驱体纤维层覆盖基底先进行烘烤，然后UV光处理，冷却至室温后进行退火，得到双层金属氧化物纤维层覆盖基底；S4、通过掩模板在双层金属氧化物纤维层覆盖基底上蒸镀金属源、漏电极。采用两种纤维上下堆叠构成双沟道，可以调节单一氧化物的性能缺陷，利用两氧化物间的互补优势，有效改善器件的性能。安徽大学
51 碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
包括N型碳化硅外延层、铝P阱、N型纯硅外延层、第一硼P阱、第二硼P阱、栅极氧化层、多晶硅层、介电质层以及源极金属层，本发明的有益效果是：本发明在碳化硅外延片上将纯硅外延，下方碳化硅外延保有其耐高电场的优势，因此维持高压而低外延电阻的特性，上方纯硅的外延用以生长栅极氧化层以增加其稳定性及可靠度，纯硅在通道处的载子移动率并不像碳化硅容易受极性面影响，所以可明显的减少其通道阻值，此结构可同时将二材料特性做有效互补。
52 一种水平增强型氧化镓MOSFET器件结构和制作方法
主要解决常规氧化镓耗尽型MOSFET栅极零偏时不能关断和静态功耗大的问题。其自下而上包括：衬底(1)，缓冲层(2)和沟道层(3)，该沟道层(3)中间的上部依次设有高浓度为2.3*1019?3.6*1019cm?3p+NiO薄膜层(4)和低浓度为5.1*1017?5.8*1017cm?3p?NiO薄膜层(5)，该p?NiO(5)的上表面设有栅电极(8)，沟道层上表面的左右两侧分别为源极(6)和漏极(7)。在栅极零偏时能关断器件，降低静态功耗、且制作工艺简单，降低了制作成本和难度，可用于作为功率器件和高压开关器件。西安电子科技大学
53 一种冷源结构和冷源结构金属氧化物半导体场效应晶体管
包括：常规金属、冷金属、第一绝缘掩蔽层和源端；常规金属通过冷金属与源端相连，用于连接外加电压，引入电流；冷金属为附着在第一绝缘掩蔽层和源端上的一薄层，用于过滤常规金属引入的电流中的高能量载流子；第一绝缘掩蔽层在常规金属和源端之间，用于隔开常规金属与源端，防止电流中的电子隧穿至源端。通过将常规金属与源端通过第一绝缘掩蔽层分隔，使用冷金属连接被分隔的常规金属和源端，能够过滤亚阈值区域的高能载流子，同时防止电子从常规金属隧穿至源端，使冷源结构失效，冷源结构可使亚阈值电流在亚阈值区的斜率变陡，实现超陡亚阈值摆幅，提升开关性能，降低功耗，不影响晶体管开态。北京大学
54 一种结型场效应晶体管制备方法
所述结型场效应晶体管包括：漏极区；漏极端，耦接至漏极区；绝缘电极；绝缘端，耦接至绝缘电极；其中：所述结型场效应晶体管具有有源区；所述绝缘电极向漏极端呈现一个电容，该电容的电容值介于有源区每平方厘米0.1纳法到有源区横向范围每平方厘米10纳法之间。所述结型场效应晶体管减小了晶胞尺寸、具有更好的屏蔽性能，且使器件具有更强的耐压。
55 一种氮化镓(GaN)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
包括：衬底，在所述衬底上的GaN层，在所述GaN层上的缓冲层，分别在所述缓冲层上形成的源区、漏区和栅区，在源区、漏区和栅区上的绝缘层和金属层，以及在所述源区和漏区之间、在低于栅区的位置处形成的沟槽结构，其中，所述沟槽结构包括一个或多个沟槽，所述沟槽从所述源区穿过所述GaNMOSFET器件的沟道区延伸到所述漏区，所述金属层分别经由通孔与所述源区、漏区和栅区相连接，所述绝缘层用于将所述金属层、源区、漏区和栅区分开。所述沟槽可以形成在所述GaN?MOSFET器件的沟道宽度方向和/或沟道长度方向上或两者方向上。所述沟槽结构将通过并接由沟槽侧壁产生的额外电阻来降低在漏极和源极之间的电阻。
56 一种结型场效应晶体管及其制备方法
一种结型场效应晶体管，包括：第一导电类型的基底；至少两层阱区结构，层叠设置于基底；每一层阱区结构包括第二导电类型的第一阱区，以及位于第一阱区的相对两侧的两个第二阱区；其中，第二阱区的导电类型与第二导电类型相反，且与第一导电类型相同；漏极和源极，分别形成于最上一层阱区结构的第一阱区的相对两侧；以及栅极，形成于最上一层阱区结构的两个第二阱区；其中，相邻的两层阱区结构中，相邻的两个第一阱区彼此接触，同一侧的两个第二阱区彼此相连。在获得同样的导电能力的情况下，使用本申请的结型场效应晶体管的结构设计更能节约设计尺寸。
57 一种碳化硅?金属氧化物半导体场效应晶体管制备方法
目的是抑制耐压下降及接通电压增加并且使体二极管电流增加。SiC?MOSFET(101)具有：第1导电型的SiC衬底(1)；第1导电型的漂移层(2)，形成于SiC衬底(1)之上；第2导电型的基极区域(3)，形成于漂移层(2)的表层；第1导电型的源极区域(4)，形成于基极区域(3)的表层；栅极电极(6)，隔着栅极绝缘膜(5)而与被漂移层(2)及源极区域(4)夹着的基极区域(3)的区域即沟道区域相对；源极电极(8)，与源极区域(4)电接触；以及第2导电型的多个第1填埋区域(10)，在基极区域(3)的下表面相邻地形成。多个第1填埋区域(10)至少形成于基极区域(3)的两端部的正下方，彼此分离地形成大于或等于3个。三菱电机株式会社
58 一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法
包括硅衬底、第一N型半导体薄膜、第二N型半导体薄膜和金属电极；第一N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜，第二N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜；或第一N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜，第二N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜设于所述硅衬底上；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜交叉设置；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜相交位置形成突变NN型异质结；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜的两端均设有金属电极；构成了适合应用于逻辑电路中且性能稳定的结型场效应晶体管。湖南大学
59 一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
包括第一导电类型掺杂衬底、第一导电类型掺杂漂移层和功能层，功能层包括两个区域，分别为第一区和第二区，第一区包括第二导电类型掺杂屏蔽区、第二导电类型掺杂沟道区和第一导电类型掺杂表面区，第二导电类型掺杂屏蔽区与第二导电类型掺杂沟道区交叠，第二导电类型掺杂屏蔽区位于第二导电类型掺杂沟道区靠近第一导电类型掺杂衬底的一侧，即第二导电类型掺杂屏蔽区位于第二导电类型掺杂沟道区下侧，能够降低金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFEET中位于栅极下的栅极氧化物的电场，提高MOSFEET器件的可靠性。北京大学
60 一种金刚石氮化铝异质结场效应晶体管及其制备方法
该方法包括：在金刚石衬底上表面的目标区域制备保护层。对目标区域之外的金刚石衬底表面进行氧等离子体处理，得到氧终端。去除目标区域的保护层，并在氧终端的遮蔽下，在目标区域外延生长氮化铝，制备得到金刚石氮化铝异质结的导电沟道。在目标区域的氮化铝遮蔽下，对目标区域之外的氧终端进行氢等离子体处理，得到氢终端的导电沟道。在氢终端的导电沟道上制备源电极、漏电极，在氮化铝上制备栅电极，得到场效应晶体管。避免了现有方式刻蚀深度难以控制、难以刚好刻蚀至异质结导电沟道上的问题，降低了器件制备难度。
