国际新技术资料网
咨询热线：13141225688
环保新技术网
产品
文章
搜索
名称描述内容
- 首页
- 环保新技术
- 超硬材料
- 2024日本金属烧结金刚石制造
- 《日本》
- 2024 日本树脂金刚石制造
- 2023 日本电镀金刚石制造
- MA5.2024立方氮化硼砂轮
- MA2.2024金属结合剂金刚石砂轮
- MA1.2024树脂结合剂金刚石砂轮
- MA5.2024圣戈班金刚石砂轮
- MA3.2024陶瓷结合剂金刚石砂轮
- MA4.2022研磨抛光金刚石磨片
- 2025金刚石研磨抛光液
- 2024普通砂轮
- B04.日本金刚石金属电镀 绳锯
- 2023珩磨油石
- N01.2022.金刚石锯片刀头
- 2022（一）《金刚石单晶生长技术》
- 2022 （二）金刚石合成材料技术工艺
- 2022（三）金刚石提纯分选
- N0.2021金刚石线锯、绳锯
- N03.金刚石钻探工具制造
- N04.金刚石切削刀具制造
- 2023新版金刚石磨粒表面处理
- P02.立方氮化硼刀具制造
- S04.超硬材料订购单
- S07.日本砂轮技术揭秘
- 中国超硬材料新技术网
- 金属表面处理
- 2023黑色金属表面除油
- 2024黑色金属钝化剂、发黑剂
- 2024石墨烯皮膜剂
- 镀铜电解液
- 2023镁合金表面处理
- 2021锌系磷化液
- 2023金属电镀铜
- 2021铜合金表面除油清洗
- 2021金属表面脱漆剂
- 2022化学镀镍
- 2023化学镀铜
- 2021 化学镀铬
- 2021 化学镀银
- 2021 化学镀金
- 2023铝表面处理剂
- 2021铜表面处理剂
- 2024热浸镀锌新技术
- 无渣磷化液 陶化剂
- 国际 2022铝合金表面处理剂
- 国际 铜及铜合金表面处理
- 日本金属表面处理
- 铝阳极氧化
- 国际 2022镀锌板表面处理
- 日本铝合金化学处理
- 日本铝合金清洗液
- 日本铜合金表面清洗
- 日本黑色处理清洗剂
- 日本铜合金表面处理
- 日本锌合金表面处理
- 日本锌合金表面清洗
- 日本化学镀镍
- 日本电镀铜
- 日本铝合金加工液
- 日本不锈钢化学处理
- 日本不锈钢清洗剂
- 石墨及石墨烯
- 新材料应用
- 建材水泥
- 国际色母粒
- 国际化工新技术网
- 化工
- 肥料新技术
- 农药肥料
- 3D新技术
- 导电银浆
- 导电铜浆
- 导电油墨
- 玻璃粉
- 导电涂料
- 电容器
- 涂料
- 日本清洗剂技术网
- 矿物分选
- 陶瓷新技术
- 玻璃新技术
- 日本摩擦材料
- 烟气脱硫
GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率，宽禁带，耐高温，高击穿场强等优点，是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。
【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料，工艺配方详尽，技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。
【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
【电 子 版】1480元（PDF文档 邮件传送）
目录
| 1 | 一种GaN基晶体管及其制作方法和应用 | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 2 | 一种GaN晶体管结构及其制备方法 | 安徽大学 |
| 3 | GaN晶体管与栅极驱动器的合封结构及合封方法 | 上海烨映微电子科技股份有限公司 |
| 4 | 具有倾斜栅极场板的GaN半导体功率晶体管和制造方法 | 英飞凌科技加拿大公司 |
| 5 | 基于薄膜晶体管技术的单片集成GaN共源共栅结构 | 西安电子科技大学 |
| 6 | 具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管 | 北京大学 |
| 7 | 一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 湖北九峰山实验室 |
| 8 | 一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管 | 东南大学 |
| 9 | 基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 |
| 10 | p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法 | 东南大学;无锡华润上华科技有限公司 |
| 11 | 具有阶梯式金属场板的GaN半导体功率晶体管及制造方法 | 英飞凌科技加拿大公司 |
| 12 | 常关型极化超结GaN基场效应晶体管和电气设备 | 株式会社POWDEC |
| 13 | GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 京东方华灿光电（苏州）有限公司 |
| 14 | GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 京东方华灿光电（苏州）有限公司 |
| 15 | 一种铁电极化耦合的GaN场效应晶体管 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 16 | 一种凹槽型肖特基源p-GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 17 | 一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 18 | 一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 19 | 具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法 | 重庆邮电大学 |
| 20 | 一种N面GaN/ScAlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 21 | 一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管 | 西安交通大学 |
| 22 | 具有主GaN功率晶体管和GaN电流感测晶体管的GaN管芯 | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 23 | 一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 24 | 具有增强型折叠形状的AlGaN/GaN MIS高电子迁移率晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 |
| 25 | 具有高阈值电压的高压纵向GaN高沟道电子迁移率晶体管 | 电子科技大学 |
| 26 | 一种GaN高电子迁移率晶体管结构及制作方法 | 天津市滨海新区微电子研究院 |
| 27 | 一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 北京大学 |
| 28 | 一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管 | 长沙理工大学 |
| 29 | 一种具有P型GaN栅增强型GaN晶体管结构及其制备方法 | 西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院 |
| 30 | 一种高压横向GaN高电子迁移率晶体管 | 江苏希尔半导体有限公司;乐山希尔电子股份有限公司;乐山嘉洋科技发展有限公司 |
| 31 | 具有渐变背势垒缓冲层InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法 | 中国科学院半导体研究所 |
| 32 | 一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 33 | 基于Fin结构的GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 34 | 一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 35 | 一种具有埋层结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 36 | 一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 37 | 一种基于P型氮化物隔离的P-GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 38 | 一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管 | 重庆邮电大学 |
| 39 | p-GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 40 | 一种高线性度GaN晶体管及制备方法 | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 41 | 具有垂直AlGaN/GaN结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 江苏芯港半导体有限公司 |
| 42 | 一种具有n-GaN二次外延层的GaN基高电子晶体管及其制作方法 | 上海格晶半导体有限公司 |
| 43 | 降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管及其制备方法 | 南京大学 |
| 44 | 一种抗单粒子加固的P-GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 中国空间技术研究院 |
| 45 | 一种具有GaN基多沟道凹槽MIS结合PN结栅的垂直晶体管及其制作方法 | 上海格晶半导体有限公司 |
| 46 | 一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 西安电子科技大学 |
| 47 | 一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司 |
| 48 | 提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管 | 中国科学院半导体研究所 |
| 49 | GaN衬底晶体管器件及其制备方法 | 浙江芯科半导体有限公司 |
| 50 | 具有高功率优值与优异导通特性的GaN场效应晶体管 | 江苏芯唐微电子有限公司 |
| 51 | 一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院 |
| 52 | GaN基增强型功率晶体管 | 中国科学院微电子研究所 |
| 53 | 一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管 | 重庆邮电大学 |
| 54 | 结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 西安电子科技大学 |
| 55 | GaN基增强型功率晶体管的制备方法 | 捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 56 | 基于离子注入的抗单粒子p-GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 57 | 基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 |
| 58 | 基于原位生长MIS结构的P-GaN高电子迁移率晶体管及制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 59 | GaN场效应晶体管 | 中国科学院半导体研究所 |
| 60 | 一种倾斜式GaN HEMT集成散热晶体管及其制备方法 | 深圳大学 |
| 61 | 基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 62 | GaN基高电子迁移率晶体管、欧姆金属电极及其制备方法 | 中国科学院微电子研究所 |
- 【日本水处理药剂】
- 日本膜新技术 被処理物
- ・・用水
- ・・・海水
- ・・・表流水（河川水、湖沼水）
- ・・・地下水、井戸水
- ・・循環水
- ・・血液
- ・・水溶液
- ・・非水液体
- ・・油―水系、有機液体―水系
- ・・懸濁液、エマルジョン
- ・・空気
- ・・燃料ガス、天然ガス
- ・分離対象物
- ・・酸化鉄、クラッド
- ・・シリカ 二氧化硅
- ・・微生物、プランクトン、浮游生物
- ・・酸
- ・・碱
- ・・特定の金属イオン、阳离子（*）
- ・・特定のアニオン（＊）特定阴离子（*）
- ・・アルコール 酒精
- ・・着色成分
- ・・涂料
- ・・血浆
- ・・血球
- ・・・赤血球
- ・・・白血球
- ・・・血小板
- ・・タンパク質（アルブミン）蛋白质
- ・・・酵素
- ・・ウィルス 病毒
- ・・酸素（氧气）
- ・・窒素（氮气）
- ・・二酸化炭素
- ・・水蒸気
- ・・水素(氢)
- ・・一酸化炭素（一氧化碳)
- ・・炭化水素 （烃）
- PC00 利用分野、用途
- PC01 ・電子工業、半導体工業
- PC02 ・・超純水の製造
- PC03 ・・・一次純水の製造
- PC04 ・・・二次純水の製造
- PC05 ・・クリーンルーム
- PC11 ・食品工業
- PC12 ・・発酵工業
- PC13 ・・大豆処理
- PC14 ・・乳業
- PC15 ・・卵白
- PC16 ・・水産加工、食肉
- PC17 ・・果汁、野菜ジュース
- PC18 ・・製糖、デンプン
- PC21 ・電着塗装
- PC22 ・メッキ工業
- PC23 ・含油廃水
- PC24 ・脱脂廃水
- PC25 ・紙パルプ
- PC31 ・ボイラ用水（火力発電所）
- PC32 ・原子力発電所の復水処理
- PC33 ・原子力発電所の廃水処理
- PC36 ・同位体分離、ウランの回収、精製
- PC38 ・分析
- PC41 ・医療
- PC42 ・・薬品製造用水
- PC43 ・・病院用水
- PC44 ・・透析用水、透析液
- PC45 ・・輸液、注射液、その処理用フィルタ
- PC46 ・・腹膜透析用透析液
- PC47 ・・人工腎臓
- PC48 ・・人工肺
- PC49 ・・コンタクトレンズ洗浄液
- PC51 ・浄水器
- PC52 ・・家庭用浄水器
- PC53 ・・非常時、海難用
- PC54 ・中水道、雑用水
- PC55 ・プール
- PC56 ・風呂
- PC61 ・し尿、畜尿処理
- PC62 ・活性汚泥処理
- PC63 ・・上澄水の分離
- PC64 ・・活性汚泥の濃縮
- PC65 ・・家庭用浄化槽
- PC67 ・バイオリアクタ 生物反应器
- PC69 ・メンブレンリアクタ 膜反应堆
- PC71 ・酸素富化
- PC72 ・除湿
- PC73 ・空気清浄器
- PC77 ・ガソリンベーパー 汽油蒸汽
- PC80 ・その他の利用分野、用途（＊）
国际新技术资料网 电话：13141225688
Copyright © 2010-2030恒志信网 京ICP备20014911号